根据教育部关于加强硕士研究生招生复试工作的指导意见及学校有关要求，电子科学与技术专业2013年硕士研究生招生复试指导确定如下。

硕士研究生复试主要科目、内容及比例

1、硕士研究生复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80分。

2、复试笔试科目

（1）电子技术基础（数字电子技术基础和模拟电子技术基础），占70分。

主要内容：半导体二极管及其基本电路；半导体三极管及其放大电路基础；场效应放大电路；集成电路运算放大器；反馈放大电路；信号的运算与处理电路；信号的产生电路；直流稳压电源；逻辑门电路；组合逻辑电路的分析与设计；常用组合逻辑功能器件；触发器；时序逻辑电路的分析和设计；常用时序逻辑功能器件。

参考书目：1.《数字电子技术基础》，阎石主编，高等教育出版社，1998年11月第4版。

2.《模拟电子技术基础》，童诗白等主编，高等教育出版社，2001年1月第3版。

（2）微电子器件，占70分。

主要内容：pn结直流特性、空间电荷区和电容、pn结击穿；双极型晶体管的基本结构和工作原理、直流特性、频率特性、开关特性和功率特性的物理基础；场效应晶体管（包括结型和MOS场效应晶体管）的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、开关特性和功率特性；MOS场效应晶体管的阈值电压、短沟道与窄沟道效应以及击穿特性。

参考书目：1.《双极型与场效应晶体管》武世香编,电子工业出版社,1995年版.

                   2.《微电子技术基础��双极、场效应晶体管原理》曹培栋编著，电子工业出版社，2001年第一版。

（3）半导体集成电路，占60分。

主要内容：典型的集成电路制造工艺流程及原理（双极工艺和MOS工艺）；集成电路中常用的器件结构及其寄生效应；双极型逻辑集成电路（TTL及单管逻辑门）工作原理、静态特性、瞬态特性及版图设计；MOS逻辑集成电路（NMOS、CMOS以及MOS动态电路）工作原理、静态特性、瞬态特性及版图设计；各类MOS存储器的结构及特性；模拟集成电路中常用单元电路的结构、工作原理、性能及模拟集成电路版图设计特点等。

参考书目：《半导体集成电路》，朱正涌编著，清华大学出版社，2001第一版。

3、面试主要内容。

（1）从事科研工作的基础与能力；

（2）综合分析与语言表达能力；

（3）外语听力及口语；

（4）大学学习情况及学习成绩；

（5）专业课以外其他知识技能的掌握情况；

（6）特长与兴趣；

（7）身心健康状况。

在参加面试时，考生可以提供能够反映自身素质、能力、水平的相关证明材料。如：各种学术获奖证明材料和撰写的学术论文等。

4、时间安排

笔试：2012年9月26日14:00-17:00 在M207进行；面试：9月28日下午3:00在H410按抽签顺序进行。

5、录取资格

没能参加复试的或复试的笔试或面试成绩没有达到合格线者（对复试的笔试、面试和总成绩分别设定合格线），将失去被录取的资格。

6、结果公布

将在9月29日公布推免硕士研究生复试结果。